放射率が変化するウェファーの温度を、±3℃の極限精度でリアルタイム計測。Optitherm III（オプティザーム・スリー）は、パルス化レーザ技術により対象物の反射率を自動測定し、放射率の影響を完全に排除した「真の温度」を特定します。CVDやMBEなど、半導体製造プロセスの高度な温度管理に不可欠な自動放射率測定システムです。
パルス化レーザによる放射率のリアルタイム自動測定と真温度の特定
従来の放射温度計は対象物の放射率（E%）を手動で設定する必要がありましたが、本システムは最新のパルス化レーザ技術を応用し、温度放射の測定と同時に同じ場所・波長で反射率を自動計測します。これにより、反射率の高い対象物でも放射率をリアルタイムで補正し、±3℃という類を見ない高い精度での真温度（Te）計測を可能にしました。
半導体エピタキシャル成長（CVD/MBE/MOCVD）に最適な高速データ収集
CVD、MBE、MOCVDなどのエピタキシャル結晶成長過程における単層・多層ウェファーの正確な温度測定に威力を発揮します。内蔵MPUにより、温度・放射率データを 1ms という超高速で収集。ホストPCへ毎秒70の測定データを出力できるため、急速な温度変化が伴うプロセス制御やデータロギングにも柔軟に対応します。
用途に合わせて選択可能な6つの測定波長とデジタル出力
製造装置や研究開発の要件に合わせ、808、850、905、940、980、1550nm の6つの測定波長から選択が可能です。光ファイバー技術を採用しているため、装置内の狭所や過酷な環境下でも安定した受光が可能。デジタルRS232インターフェースを標準装備しており、既存のプロセス制御システムへの統合もスムーズに行えます。
Optitherm III（オプティザーム・スリー）の主要諸元・詳細仕様
機能：温度と放射率の自動測定
測定温度範囲：250℃ ～ 1500℃
測定精度：±3℃
データ収集速度：1ms
選択可能な波長：808, 850, 905, 940, 980, 1550nm
測定スポット径：6.35mm 以上
出力：デジタルRS232 / 毎秒70データ
